写入放大

垃圾回收和耗损平衡的结果是SSD的写入放大
垃圾回收和耗损平衡的结果是SSD的写入放大,从而增加了驱动器的写入次数,减少了其使用寿命[1]

写入放大(英語:Write amplification,简称WA)是闪存固态硬盘(SSD)中一种不期望的现象,即实际写入的物理信息量是将要写入的逻辑数量的多倍。因为闪存在可重新写入数据前必须先擦除,执行这些操作的过程就产生了一次以上的用户数据和元数据的移动(或重新写入)。此倍增效应会增加请求写入的次数,这会缩短SSD的寿命,从而减小SSD可靠运行的时间。增加的写入也会消耗闪存的带宽,这个效应主要会降低SSD的随机写入性能[1][2]。许多因素会影响SSD的写入放大;一些可以由用户来控制,而另一些则是数据写入和SSD使用的直接结果。

在2008年,英特尔[3]SiliconSystems(2009年被西部数据收购)[4]首先在他们的论文和出版物使用了术语“写入放大”。写入放大通常用闪存的写入与主机系统的写入之比来衡量。没有开启数据压缩,写入放大不小于1。在使用压缩的情况下,SandForce声称他们的典型写入放大达到了0.5[5],在最佳情况下,使用SF-2281控制器,此值能低至0.14[6]

SSD基本操作

NAND闪存以每页4 KB写入数据,以每块256 KB擦除数据
NAND闪存以每页4 KB写入数据,以每块256 KB擦除数据[7]

由于闪存操作的性质,数据不能像在硬盘中那样直接覆写。当首次向SSD写入数据时,单元都处于已擦除状态,因而数据可以直接写入,一次一(大小通常为4至8千字节(KB))。

参见

参考

  1. ^ 1.0 1.1 Hu, X.-Y. and E. Eleftheriou, R. Haas, I. Iliadis, R. Pletka. Write Amplification Analysis in Flash-Based Solid State Drives. IBM. 2009 [2010-06-02]. CiteSeerX: 10.1.1.154.8668. 
  2. ^ Smith, Kent. Benchmarking SSDs: The Devil is in the Preconditioning Details (PDF). SandForce. 2009-08-17 [2012-08-28]. 
  3. ^ Lucchesi, Ray. SSD Flash drives enter the enterprise (PDF). Silverton Consulting. 2008–09 [2010-06-18]. 
  4. ^ Kerekes, Zsolt. Western Digital Solid State Storage - formerly SiliconSystems. ACSL. [2010-06-19]. 
  5. ^ Shimpi, Anand Lal. OCZ's Vertex 2 Pro Preview: The Fastest MLC SSD We've Ever Tested. AnandTech. 2009-12-31 [2011-06-16]. 
  6. ^ Ku, Andrew. Intel SSD 520 Review: SandForce's Technology: Very Low Write Amplification. Tomshardware. 6 February 2012 [10 February 2012]. 
  7. ^ 引用错误:没有为名为L Smith的参考文献提供内容

外部链接